Rof EOM 1550nm तीव्रता मॉड्यूलेटर 2.5G पतली फिल्म लिथियम नाइओबेट मॉड्यूलेटर
विशेषता
* कम प्रविष्टि हानि
* उच्च बैंडविड्थ
* कम अर्ध-तरंग वोल्टेज
* अनुकूलन विकल्प
आवेदन
⚫ आरओएफ सिस्टम
⚫क्वांटम कुंजी वितरण
⚫ लेजर सेंसिंग सिस्टम
⚫ साइड-बैंड मॉड्यूलेशन
वेवलेंथ
⚫750nm
⚫850nm
⚫ 1064nm
⚫ 1310एनएम
⚫ 1550एनएम
बैंडविड्थ
⚫ 10GHz
⚫ 20GHz
⚫ 40GHz
⚫ 50GHz
आर-एएम-15-2.5जी
| पैरामीटर | प्रतीक | मिन | प्रकार | अधिकतम | इकाई | ||||
| ऑप्टिकल पैरामीटर | |||||||||
| ऑपरेटिंगतरंग दैर्ध्य | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
| निविष्ट वस्तु का नुकसान | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| ऑप्टिकल रिटर्न लॉस | ओआरएल | -45 | dB | ||||||
| विलुप्ति अनुपात @DC स्विच करें | ईआर@डीसी | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| गतिशील विलुप्ति अनुपात | डीईआर | 13 | dB | ||||||
| प्रकाशित तंतु | इनपुटपत्तन | पांडा पीएम फुजिकुरा एसएम | |||||||
| आउटपुटपत्तन | पांडा पीएम फुजिकुरा एसएम | ||||||||
| ऑप्टिकल फाइबर इंटरफ़ेस | एफसी/पीसी, एफसी/एपीसी या उपयोगकर्ता निर्दिष्ट करने के लिए | ||||||||
| विद्युत पैरामीटर | |||||||||
| ऑपरेटिंगबैंडविड्थ（-3डीबी） | S21 | 2.5 | 3 | गीगा | |||||
| अर्ध-तरंग वोल्टेज वीपीआई | RF | @50KHz |
| 4.5 | 5 | V | |||
| Bआईएएस | @पक्षपात |
| 6 | 7 | V | ||||
| बिजलीalवापसी हानि | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| इनपुट प्रतिबाधा | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| पक्षपात | Zपक्षपात | 1M | W | ||||||
| विद्युत इंटरफ़ेस | एसएमए(एफ) | ||||||||
सीमा शर्तें
| पैरामीटर | प्रतीक | इकाई | मिन | प्रकार | अधिकतम |
| इनपुट ऑप्टिकल पावर | Pमें,मैक्स | डी बी एम | 20 | ||
| Iआरएफ पावर डालें | डी बी एम | 28 | |||
| पूर्वाग्रह वोल्टेज | वबियास | V | -15 | 15 | |
| ऑपरेटिंगतापमान | शीर्ष | ℃ | -10 | 60 | |
| भंडारण तापमान | टी.एस.टी | ℃ | -40 | 85 | |
| नमी | RH | % | 5 | 90 |
S21 वक्र
&S11 वक्र
S21&s11 वक्र
यांत्रिक आरेख
| पत्तन | प्रतीक | टिप्पणी |
| में | Oऑप्टिकल इनपुट पोर्ट | पीएम फाइबर (125μm/250μm) |
| बाहर | Oऑप्टिकल आउटपुट पोर्ट | PM रेशा(125μm/250μm) |
| RF | Rएफ इनपुट पोर्ट | एसएमए(f)/ के(एफ) / वी(एफ) |
| पक्षपात | पूर्वाग्रह नियंत्रण बंदरगाह | 1,2 पूर्वाग्रह, 3-पीडी कैथोड, 4-पीडी एनोड |
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