आरओएफ इंटेंसिटी मॉड्युलेटर थिन फिल्म लिथियम नायोबेट मॉड्युलेटर 20जी टीएफएलएन मॉड्युलेटर
विशेषता
l विलुप्तिकरण अनुपात > 25dB (सामान्य मान 30dB)
उच्च स्थिरता
उच्च मॉड्यूलेशन बैंडविड्थ
निम्न अर्ध तरंग वोल्टेज
आवेदन
माइक्रोवेव फोटॉन
उच्च गति ऑप्टिकल संचार
क्वांटम संचार
पैरामीटर
| पैरामीटर | प्रतीक | मिन | प्रकार | अधिकतम | इकाई | |
| ऑप्टिकल पैरामीटर | ||||||
| कार्यशील तरंगदैर्ध्य | l | 1525 | 1565 | nm | ||
| निविष्ट वस्तु का नुकसान | IL | 4.5 | 5.5 | dB | ||
| ऑप्टिकल रिटर्न लॉस | ओआरएएल | -25 | dB | |||
| स्विच विलुप्ति अनुपात @ डीसी | ईआर@डीसी | 25 | 30 | dB | ||
| प्रकाशित तंतु | इनपुट टर्मिनल | पांडा पीएम1550 | ||||
| आउटपुट अंत | पांडा पीएम1550 | |||||
| फाइबर ऑप्टिक इंटरफ़ेस | एफसी/पीसी、एफसी/एपीसी या उपयोगकर्ता द्वारा निर्दिष्ट | |||||
| विद्युत मापदंड | ||||||
| कार्यशील बैंडविड्थ (-3dB) | S21 | 20 | 25 | गीगा | ||
| आरएफ हाफ वेव वोल्टेज वीपीआई | Vπ@1GHz | 3.5 | V | |||
| पक्षपाती अर्ध तरंग शक्ति पीपीआई | Pπ@Bias | 45 | 50 | mW | ||
| बायस सिरे पर अधिकतम इनपुट वोल्टेज | 8 | V | ||||
| विद्युत वापसी हानि | S11 | -12 | -10 | dB | ||
| आरएफ इनपुट प्रतिबाधा | ZRF | 50 | W | |||
| विद्युत इंटरफ़ेस | 2.92 मिमी महिला | |||||
अत्यधिक परिस्थितियाँ
| Pपैरामीटर | प्रतीक | इकाई | मिन | प्रकार | अधिकतम |
| 1550nm पर इनपुट ऑप्टिकल पावर | Pमें, मैक्स | डी बी एम | 20 | ||
| आरएफ इनपुट पावर | डी बी एम | 23 | |||
| बायस एंड बायस वोल्टेज | वीबायस | V | 0 | 8 | |
| परिचालन तापमान | शीर्ष | डिग्री सेल्सियस | -10 | 60 | |
| भंडारण तापमान | टीएसटी | डिग्री सेल्सियस | -40 | 85 | |
| नमी | RH | % | 5 | 90 |
पैकेज का आकार (मिमी)
विशेषता वक्र
ऑर्डर की जानकारी
पतली फिल्म लिथियम नायोबेट 20 GHz तीव्रता मॉड्यूलेटर
| आरओएफ | टीएफएलएएन | XX | XX | XX |
| पतली फिल्म लिथियम नायोबेट तीव्रता मॉड्युलेटर | ऑपरेटिंग बैंडविड्थ:20G---20GHz | इनपुट/आउटपुट फाइबर ऑप्टिक:पीपी---पीएमएफ-पीएमएफ | कनेक्शन:FA---FC/APCFP---FC/PCSP---उपयोगकर्ता द्वारा निर्दिष्ट |
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