ROF EO मॉड्यूलेटर चरण मॉड्यूलेटर 20G पतली फिल्म लिथियम niobate मॉड्यूलेटर
विशेषता
■ RF बैंडविड्थ 20/40 गीगाहर्ट्ज तक
■ आधा लहर वोल्टेज कम से 3 वी
■ 4.5db के रूप में कम के रूप में सम्मिलन हानि
■ छोटे उपकरण का आकार

पैरामीटर
वर्ग | तर्क | प्रतीक | विश्वविद्यालय | एक प्रकार का | |
ऑप्टिकल प्रदर्शन (@25 ° C) | परिचालन तरंग दैर्ध्य (*) | λ | nm | ~ 1550 | |
ऑप्टिकल वापसी हानि
| आर्गा | dB | ≤ -27 | ||
ऑप्टिकल सम्मिलन हानि (*) | IL | dB | मैक्स:5.5typ:4.5 | ||
विद्युत गुण (@25 ° C)
| 3 डीबी इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल बैंडविड्थ (2 गीगाहर्ट्ज से) | S21 | गीगा | X1: 2 | X1: 4 |
मिन:18typ:20 | मिन:36TYP:40 | ||||
आरएफ हाफ वेव वोल्टेज (@50 kHz)
| Vπ | V | मैक्स:3.5TYP:3.0 | ||
आरएफ रिटर्न लॉस (2 गीगाहर्ट्ज से 40 गीगाहर्ट्ज)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
काम की परिस्थिति
| परिचालन तापमान | TO | ° C | -20 ~ 70 |
* अनुकूलन योग्य
क्षति सीमा
Argument | प्रतीक | Sचुनावी | मिन | मैक्स | विश्वविद्यालय |
आरएफ इनपुट शक्ति | पाप | X2: 4 | - | 18 | डी बी एम |
X2: 5 | - | 29 | |||
आरएफ इनपुट स्विंग वोल्टेज | वीपीपी | X2: 4 | -2.5 | +2.5 | V |
X2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
आरएफ इनपुट आरएमएस वोल्टेज | वीआरएमएस | X2: 4 | - | 1.78 | V |
X2: 5 | - | 6.30 | |||
भंडारण तापमान | नत्थी करना | - | - | 20 | डी बी एम |
ऑप्टिकल इनपुट शक्ति | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
सापेक्ष आर्द्रता (कोई संक्षेपण नहीं) | RH | - | 5 | 90 | % |
यदि डिवाइस अधिकतम क्षति सीमा से अधिक है, तो यह डिवाइस को अपरिवर्तनीय क्षति का कारण बनेगा, और इस प्रकार की डिवाइस क्षति रखरखाव सेवा द्वारा कवर नहीं की जाती है।
S21 परीक्षण नमूना (40 गीगाहर्ट्ज विशिष्ट मूल्य)
S21 औरS11
आदेश सूचना
पतली फिल्म लिथियम niobate 20 गीगाहर्ट्ज़/40 गीगाहर्ट्ज चरण मॉड्यूलेटर
चयन | विवरण | चयन |
X1 | 3 डीबी इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल बैंडविड्थ | 2or4 |
X2 | अधिकतम आरएफ इनपुट शक्ति | 4or5 |
हमारे बारे में
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