आरओएफ ईओ मॉड्यूलेटर चरण मॉड्यूलेटर 20 जी पतली फिल्म लिथियम नियोबेट मॉड्यूलेटर
विशेषता
■ 20/40 गीगाहर्ट्ज तक आरएफ बैंडविड्थ
■ अर्ध तरंग वोल्टेज 3 V तक कम
■ सम्मिलन हानि 4.5dB जितनी कम
■ छोटे डिवाइस का आकार
पैरामीटर
| वर्ग | तर्क | प्रतीक | विश्वविद्यालय | आउंटर | |
| ऑप्टिकल प्रदर्शन (@25°C) | परिचालन तरंगदैर्घ्य (*) | λ | nm | ~1550 | |
| ऑप्टिकल रिटर्न लॉस
| ओआरएल | dB | ≤ -27 | ||
| ऑप्टिकल सम्मिलन हानि (*) | IL | dB | मैक्स:5.5प्रकार:4.5 | ||
| विद्युत गुण (@25°C)
| 3 डीबी इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल बैंडविड्थ (2 गीगाहर्ट्ज से | एस21 | गीगा | एक्स1: 2 | एक्स1: 4 |
| मिन:18टाइप:20 | मिन:36टाइप:40 | ||||
| आरएफ अर्ध तरंग वोल्टेज (@50 kHz)
| Vπ | V | मैक्स:3.5प्रकार:3.0 | ||
| आरएफ रिटर्न लॉस (2 गीगाहर्ट्ज से 40 गीगाहर्ट्ज)
| एस11 | dB | ≤ -10 | ||
| काम की परिस्थिति
| परिचालन तापमान | TO | डिग्री सेल्सियस | -20~70 | |
* अनुकूलन योग्य
क्षति सीमा
| Aतर्क | प्रतीक | Sचुनाव योग्य | मिन | मैक्स | विश्वविद्यालय |
| आरएफ इनपुट पावर | पाप | एक्स2: 4 | - | 18 | डी बी एम |
| एक्स2: 5 | - | 29 | |||
| आरएफ इनपुट स्विंग वोल्टेज | वीपीपी | एक्स2: 4 | -2.5 | +2.5 | V |
| एक्स2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
| आरएफ इनपुट आरएमएस वोल्टेज | वीआरएमएस | एक्स2: 4 | - | 1.78 | V |
| एक्स2: 5 | - | 6.30 | |||
| भंडारण तापमान | नत्थी करना | - | - | 20 | डी बी एम |
| ऑप्टिकल इनपुट पावर | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| सापेक्ष आर्द्रता (कोई संघनन नहीं) | RH | - | 5 | 90 | % |
यदि डिवाइस अधिकतम क्षति सीमा से अधिक हो जाती है, तो इससे डिवाइस को अपरिवर्तनीय क्षति होगी, और इस प्रकार की डिवाइस क्षति रखरखाव सेवा द्वारा कवर नहीं की जाती है।
S21 परीक्षण नमूना (40 GHz विशिष्ट मान)
एस21&एस11
आदेश जानकारी
पतली फिल्म लिथियम नियोबेट 20 गीगाहर्ट्ज/40 गीगाहर्ट्ज चरण मॉड्यूलेटर
| चयन | विवरण | चयन |
| X1 | 3 डीबी इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल बैंडविड्थ | 2or4 |
| X2 | अधिकतम आरएफ इनपुट शक्ति | 4or5 |
हमारे बारे में
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